Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BUK4D110-20PX
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
BUK4D110-20PX-DG
Описание:
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta), 6.7A (Tc) 2W (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001225
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK4D110-20PX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 8V
Rds On (макс.) @ id, vgs
96mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
365 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 7.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020MD-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
BUK4D
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BUK4D110-20P
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
1727-BUK4D110-20PXDKR
1727-BUK4D110-20PXCT
5202-BUK4D110-20PXTR
934661724115
1727-BUK4D110-20PXTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TW140N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
IXFX130N65X3
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU
GT105N10T
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
IRFP4468PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3