Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BUK9Y12-55B,115
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
BUK9Y12-55B,115-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Подробное описание:
N-Channel 55 V 61.8A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12829711
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK9Y12-55B,115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.15V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
106W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK56, Power-SO8
Упаковка / Чехол
SC-100, SOT-669
Базовый номер продукта
BUK9Y12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BUK9Y12-55B,115
HTML Спецификация
BUK9Y12-55B,115-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
568-5525-6
BUK9Y1255B115
568-5525-2-DG
1727-4613-1
568-5525-1-DG
1727-4613-2
934063309115
568-5525-1
568-5525-2
1727-4613-6
568-5525-6-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PHD9NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
BUK6607-75C,118
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
PSMN020-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
PMV120ENEAR
MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB