Производитель Номер продукта:
GAN041-650WSBQ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
GAN041-650WSBQ-DG
Описание:
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 47.2A 187W Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
296 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12958427
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GAN041-650WSBQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
47.2A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
187W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Краткое описание продукта
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
1727-GAN041-650WSBQ
5202-GAN041-650WSBQTR
934661752127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDD8896-G
MOSFET N-CH 30V TO252AA
FDC655BN-F40
MOSFET N-CH 30V
BSP135IXTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
