Производитель Номер продукта:
GAN140-650EBEZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
GAN140-650EBEZ-DG
Описание:
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Инвентаризация:
2461 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13005803
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GAN140-650EBEZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 17.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+7V, -1.4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
113W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
DFN8080-8
Упаковка / Чехол
8-VDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
GAN140
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
1727-GAN140-650EBEZCT
1727-GAN140-650EBEZDKR
934665902332
5202-GAN140-650EBEZTR
1727-GAN140-650EBEZTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
