Производитель Номер продукта:
GAN140-650FBEZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
GAN140-650FBEZ-DG
Описание:
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5
Инвентаризация:
2396 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001070
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GAN140-650FBEZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 17.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+7V, -1.4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
113W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
DFN5060-5
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
GAN140
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
934665903332
1727-GAN140-650FBEZCT
1727-GAN140-650FBEZTR
1727-GAN140-650FBEZDKR
5202-GAN140-650FBEZTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GAN080-650EBEZ
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
SCT4045DRHRC15
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
G26P04K
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
