Производитель Номер продукта:
GAN7R0-150LBEZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
GAN7R0-150LBEZ-DG
Описание:
150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Подробное описание:
N-Channel 150 V 28A 28W Surface Mount 3-FCLGA (3.2x2.2)
Инвентаризация:
1713 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13005577
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GAN7R0-150LBEZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
+6V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
865 pF @ 85 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
3-FCLGA (3.2x2.2)
Упаковка / Чехол
3-VLGA
Базовый номер продукта
GAN7R0
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
1727-GAN7R0-150LBEZTR
5202-GAN7R0-150LBEZTR
934665900328
1727-GAN7R0-150LBEZCT
1727-GAN7R0-150LBEZDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0040
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFP4768PBFXKMA1
TRENCH >=100V
DI110N06D2
MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
MMFTN210A
MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
