PDTD113EQAZ
Производитель Номер продукта:

PDTD113EQAZ

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PDTD113EQAZ-DG

Описание:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3

Инвентаризация:

12830902
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PDTD113EQAZ Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
1 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
210 MHz
Мощность - Макс
325 mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Базовый номер продукта
PDTD113

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
5202-PDTD113EQAZTR
NEXNXPPDTD113EQAZ
2156-PDTD113EQAZ-NEX
934069263147

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PDTA124EQAZ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PBRP113ET,215

TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB

nexperia

PDTA114EMB,315

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nexperia

PDTD123EUX

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323