Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PEMB1,115
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PEMB1,115-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12831145
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PEMB1,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-666
Базовый номер продукта
PEMB1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PEMB1,115
HTML Спецификация
PEMB1,115-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
PEMB1 T/R-DG
PEMB1 T/R
2156-PEMB1,115-1727
934056869115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RN2903FE(TE85L,F)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3450
Номер части
RN2903FE(TE85L,F)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN2908FE(TE85L,F)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7
Номер части
RN2908FE(TE85L,F)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PUMB13,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PIMH9,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
PUMD48/ZLH
TRANS PREBIAS
PBLS1501Y,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP