Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PEMF21,115
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PEMF21,115-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12829175
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PEMF21,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA, 500mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V, 12V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Частота - переход
280MHz
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-666
Базовый номер продукта
PEMF21
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PEMF21,115
HTML Спецификация
PEMF21,115-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
1727-3048-2
568-2173-1-DG
568-2173-2-DG
1727-3048-6
934058163115
568-2173-6
568-2173-1
568-2173-2
PEMF21 T/R
1727-3048-1
2156-PEMF21115-NETR
PEMF21115
568-2173-6-DG
NEXNEXPEMF21,115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PUMH7,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
PEMD24,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
PUMB2F
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PEMB2,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666