Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMDXB550UNEZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMDXB550UNEZ-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 590mA 285mW Surface Mount DFN1010B-6
Инвентаризация:
24038 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12828457
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMDXB550UNEZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
590mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
670mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
30.3pF @ 15V
Мощность - Макс
285mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-XFDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010B-6
Базовый номер продукта
PMDXB550
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMDXB550UNEZ
HTML Спецификация
PMDXB550UNEZ-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
568-12563-2-DG
568-12563-1
5202-PMDXB550UNEZTR
568-12563-1-DG
2156-PMDXB550UNEZ-1727
934069326147
1727-2277-1
1727-2277-2
568-12563-2
1727-2277-6
568-12563-6-DG
568-12563-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK7K6R8-40E,115
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
BUK9K13-60EX
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
PMGD280UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
BUK7K29-100EX
MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D