Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMGD780SN,115
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMGD780SN,115-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
Инвентаризация:
11684 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12827815
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMGD780SN,115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
490mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
920mOhm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.05nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
23pF @ 30V
Мощность - Макс
410mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
6-TSSOP
Базовый номер продукта
PMGD780
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMGD780SN,115
HTML Спецификация
PMGD780SN,115-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
934057709115
568-2369-1
568-2369-2
PMGD780SN T/R
568-2369-6-DG
568-2369-2-DG
568-2369-1-DG
PMGD780SN115
5202-PMGD780SN,115TR
1727-3127-6
568-2369-6
1727-3127-1
1727-3127-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9K6R2-40E,115
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
PMDXB950UPELZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
PHP225,118
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
BUK7K45-100EX
MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D