PMH1200UPEH
Производитель Номер продукта:

PMH1200UPEH

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PMH1200UPEH-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 520mA (Tc) 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount DFN0606-3

Инвентаризация:

38138 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890085
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PMH1200UPEH Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
520mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
33 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN0606-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
PMH1200

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
1727-8578-6
5202-PMH1200UPEHTR
934660496125
1727-8578-1
1727-8578-2

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3132(Q)

MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TK6A80E,S4X

MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J328R,LF

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K336R,LF

MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F