Производитель Номер продукта:
PMN55ENEX
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMN55ENEX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 4.5A (Ta) 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12832643
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMN55ENEX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
646 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Базовый номер продукта
PMN55
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
PMN55ENEX-DG
1727-7657-1
1727-7657-2
1727-7657-6
934660265115
5202-PMN55ENEXTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PMN55ENEH
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
PMN55ENEH-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN2R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
2N7002LT1H
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BUK9M11-40HX
MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
