PMPB08R4VPX
Производитель Номер продукта:

PMPB08R4VPX

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PMPB08R4VPX-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6

Инвентаризация:

5980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954276
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PMPB08R4VPX Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020MD-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
PMPB08

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
1727-PMPB08R4VPXTR
1727-PMPB08R4VPXDKR
1727-PMPB08R4VPXCT
5202-PMPB08R4VPXTR
934661979115

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIR476DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

fairchild-semiconductor

FCH35N60

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

diodes

DMT15H017LPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

vishay-siliconix

SIHP22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB