Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMPB11R2VPX
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMPB11R2VPX-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 9.7A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12979587
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMPB11R2VPX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2230 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020MD-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
PMPB11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMPB11R2VPX
HTML Спецификация
PMPB11R2VPX-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
5202-PMPB11R2VPXTR
1727-PMPB11R2VPXDKR
1727-PMPB11R2VPXCT
934662027115
1727-PMPB11R2VPXTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFS040N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
FCPF380N60-F154
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
NTTFS6H888NTAG
T8 80V U8FL
FCPF260N65FL1-F154
MOSFET N-CH 650V 15A TO220F-3