Производитель Номер продукта:
PMPB215ENEAX
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMPB215ENEAX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Подробное описание:
N-Channel 80 V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Инвентаризация:
18500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12832485
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMPB215ENEAX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
215 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020MD-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
PMPB215
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
1727-8340-2
1727-8340-1
934067477115
1727-8340-6
5202-PMPB215ENEAXTR
PMPB215ENEAX-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PH4030AL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
ATP206-TL-H
MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
PSMN7R8-100PSEQ
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
