PMPB85ENEA/F,115
Производитель Номер продукта:

PMPB85ENEA/F,115

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PMPB85ENEA/F,115-DG

Описание:

PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
Подробное описание:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6

Инвентаризация:

12947368
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PMPB85ENEA/F,115 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
305 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN2020MD-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NEXNEXPMPB85ENEA/F,115
2156-PMPB85ENEA/F,115-NEX

Классификация окружающей среды и экспорта

ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FQI4N90TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

international-rectifier

IRFB38N20DPBF

IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P

fairchild-semiconductor

FDD3706

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDB8870

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB