Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMV55ENEAR
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMV55ENEAR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 3.1A (Ta) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Инвентаризация:
4625 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12830229
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
C
C
0
7
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMV55ENEAR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
646 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-236AB
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
PMV55
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMV55ENEAR
HTML Спецификация
PMV55ENEAR-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
568-12973-6-DG
1727-2534-2-DG
568-12973-1
1727-2534-1-DG
934068714215
PMV55ENEAR-DG
1727-PMV55ENEARTR
568-62973-6
1727-2534-2
1727-2534-1
1727-2534-6-DG
1727-2534-6
1727-PMV55ENEARDKR
568-62973-6-DG
5202-PMV55ENEARTR
568-12973-2-DG
568-12973-1-DG
1727-PMV55ENEARCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PHK12NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 11.8A 8SO
BUK9Y72-80E,115
MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
PMZB950UPELYL
MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
PSMN1R2-25YL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56