Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMXB350UPEZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMXB350UPEZ-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Инвентаризация:
5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12829912
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMXB350UPEZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
116 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
PMXB350
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMXB350UPEZ
HTML Спецификация
PMXB350UPEZ-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
1727-1473-2-DG
568-10944-6-DG
1727-1473-1-DG
PMXB350UPEZ-DG
2156-PMXB350UPEZ-NEX
1727-PMXB350UPEZTR
1727-1473-6-DG
934067152147
568-10944-1-DG
568-10944-2-DG
NEXNXPPMXB350UPEZ
1727-PMXB350UPEZDKR
568-10944-2
568-10944-1
1727-1473-6
1727-PMXB350UPEZCT
568-10944-6
PMXB350UPE
5202-PMXB350UPEZTR
PMXB350UPEZINACTIVE-DG
1727-1473-1
1727-1473-2
PMXB350UPEZINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
BUK9Y14-80E,115
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
PSMN2R0-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
BUK9Y7R6-40E,115
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56