Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMXB360ENEAZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMXB360ENEAZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Инвентаризация:
19307 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12829305
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMXB360ENEAZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
130 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q100
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
PMXB360
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMXB360ENEAZ
HTML Спецификация
PMXB360ENEAZ-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
PMXB360ENEA
PMXB360ENEAZINACTIVE
PMXB360ENEAZ-DG
1727-PMXB360ENEAZCT
1727-PMXB360ENEAZTR
PMXB360ENEAZINACTIVE-DG
1727-1474-6-DG
1727-1474-1-DG
1727-PMXB360ENEAZTRINACTIVE
1727-1474-2-DG
568-10945-1
568-10945-1-DG
568-10945-2
568-10945-2-DG
1727-1474-6
1727-PMXB360ENEAZDKR
5202-PMXB360ENEAZTR
934067475147
568-10945-6
568-10945-6-DG
1727-1474-1
1727-1474-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9604-40A,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
BUK7M67-60EX
MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33
PSMN2R2-40PS,127
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
BUK763R8-80E,118
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK