Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMXB56ENZ
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMXB56ENZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Инвентаризация:
1218 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12829066
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMXB56ENZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
209 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010D-3
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
PMXB56
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMXB56ENZ
HTML Спецификация
PMXB56ENZ-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
568-12599-1-DG
5202-PMXB56ENZTR
1727-1477-6-DG
NEXNXPPMXB56ENZ
568-10948-6
1727-1477-2-DG
1727-1477-1
1727-1477-2
1727-2313-6
2156-PMXB56ENZ-NEX
568-10948-2
934067234147
1727-2313-1
568-10948-1
1727-2313-2
568-10948-1-DG
568-12599-6-DG
568-12599-2-DG
PMXB56ENZ-DG
1727-1477-1-DG
568-12599-6
568-12599-2
568-12599-1
PMXB56EN
934067234115
568-10948-6-DG
568-10948-2-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK961R6-40E,118
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
PHB47NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
PSMN1R4-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
AUIRF7736M2TR
MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET