Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PMZB350UPE,315
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PMZB350UPE,315-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Инвентаризация:
14865 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12827312
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMZB350UPE,315 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
127 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1006B-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
PMZB350
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PMZB350UPE,315
HTML Спецификация
PMZB350UPE,315-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
568-10449-2-DG
934066841315
568-10449-1-DG
568-10449-6-DG
1727-1243-6
5202-PMZB350UPE,315TR
PMZB350UPE,315-DG
2156-PMZB350UPE,315-NEX
568-10449-2
568-10449-1
1727-1243-1
1727-1243-2
568-10449-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN1R7-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BUK9Y19-55B/C2,115
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
PMPB48EP,115
MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
BUK9675-100A,118
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK