PSMN057-200P,127
Производитель Номер продукта:

PSMN057-200P,127

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PSMN057-200P,127-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

12828001
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PSMN057-200P,127 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tube
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
57mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PSMN057

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
568-6641
568-6641-5-DG
PSMN057-200P
934056421127
1727-5271
PSMN057-200P,127-DG
5202-PSMN057-200P,127TR
568-6641-DG
PSMN057-200P-DG
568-6641-5
2156-PSMN057-200P,127-1727

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PSMN2R2-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK9Y4R4-40E,115

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

nexperia

BUK7507-55B,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

nexperia

BUK7611-55A,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK