Производитель Номер продукта:
PSMN165-200K,518
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PSMN165-200K,518-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 200 V 2.9A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12832411
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN165-200K,518 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1330 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
934056597518
PSMN165-200K /T3
PSMN165-200K /T3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2 (1 Year)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9Y22-30B,115
MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK56
BUK9M11-40EX
MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
NX138BKWF
MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70
