Производитель Номер продукта:
PSMN1R2-30YLDX
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PSMN1R2-30YLDX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Подробное описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Инвентаризация:
10060 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12831809
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN1R2-30YLDX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.24mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4616 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
194W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK56, Power-SO8
Упаковка / Чехол
SC-100, SOT-669
Базовый номер продукта
PSMN1R2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
PSMN1R2-30YLDX-DG
934068235115
PSMN0R9-30YLD,115
568-11556-1
568-11556-2
5202-PSMN1R2-30YLDXTR
1727-1860-1
1727-1860-2
568-11556-2-DG
568-11556-1-DG
1727-1860-6
568-11556-6-DG
568-11556-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK7M3R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
BUK7Y07-30B,115
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
