PSMN1R5-40ES,127
Производитель Номер продукта:

PSMN1R5-40ES,127

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PSMN1R5-40ES,127-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK

Инвентаризация:

12831475
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PSMN1R5-40ES,127 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9710 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
338W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
2166-PSMN1R5-40ES,127-1727
568-6717-5
568-6717-5-DG
934065161127
568-6717
568-6717-DG
1727-5289

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

BUK7105-40AIE,118

MOSFET N-CH 40V 75A SOT426

nexperia

PMT200EPEX

MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223

nexperia

PSMN1R0-40SSHJ

MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88

nexperia

BUK9M17-30EX

MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33