Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PSMN1R8-30BL,118
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PSMN1R8-30BL,118-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
7 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12830001
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PSMN1R8-30BL,118 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.15V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10180 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
PSMN1R8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
PSMN1R8-30BL,118
HTML Спецификация
PSMN1R8-30BL,118-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
568-9482-2-DG
PSMN1R830BL118
2166-PSMN1R8-30BL,118-1727
568-9482-1
568-9482-1-DG
934066339118
1727-7112-1
568-9482-2
1727-7112-2
568-9482-6-DG
568-9482-6
1727-7112-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB80N03S4L02ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.20
Тип замещения
Similar
Номер детали
SUM90N03-2M2P-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1612
Номер части
SUM90N03-2M2P-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9Y15-100E,115
MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
BUK6D56-60EX
MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
PH6325L,115
MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK56