PSMN2R3-100SSEJ
Производитель Номер продукта:

PSMN2R3-100SSEJ

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PSMN2R3-100SSEJ-DG

Описание:

APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)

Инвентаризация:

1118 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993034
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PSMN2R3-100SSEJ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
255A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17200 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
341W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK88 (SOT1235)
Упаковка / Чехол
SOT-1235
Базовый номер продукта
PSMN2R3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
934661573118
5202-PSMN2R3-100SSEJTR
1727-PSMN2R3-100SSEJCT
1727-PSMN2R3-100SSEJDKR
1727-PSMN2R3-100SSEJTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PSMN2R0-100SSFJ

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

diodes

DMN4060SVTQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TSOT26 T&R

diodes

DMTH47M2LFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

diodes

DMTH47M2LFVW-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333