PSMN4R8-100PSEQ
Производитель Номер продукта:

PSMN4R8-100PSEQ

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

PSMN4R8-100PSEQ-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12828391
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PSMN4R8-100PSEQ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
405W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PSMN4R8

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
568-12856-DG
PSMN4R8-100PSEQ-DG
1727-2471
5202-PSMN4R8-100PSEQTR
568-12856
934068633127

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PSMN011-100YSFX

MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56

nexperia

PSMN034-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK

nexperia

BUK9216-100EJ

MOSFET N-CH 100V DPAK

nexperia

BUK7Y12-55B,115

MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56