Производитель Номер продукта:
BDV65
Product Overview
Производитель:
NTE Electronics, Inc
Номер детали:
BDV65-DG
Описание:
TRANS NPN 60V 12A TO218
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Инвентаризация:
613 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12923205
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BDV65 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NTE Electronics, Inc.
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
12 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
-
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Мощность - Макс
125 W
Частота - переход
60MHz
Рабочая температура
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-218-3
Комплект устройства поставщика
TO-218
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2368-BDV65
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N6725
TRANS NPN DARL 50V 1A TO237
NTE245
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
JANTXV2N4237
TRANS NPN 40V 1A TO39
