Производитель Номер продукта:
NTE2386
Product Overview
Производитель:
NTE Electronics, Inc
Номер детали:
NTE2386-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-3
Инвентаризация:
180 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12925061
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTE2386 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NTE Electronics, Inc.
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3
Упаковка / Чехол
TO-204AA, TO-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2368-NTE2386
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
JANTXV2N6788U
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
HUF75337S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDB3860
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
