Производитель Номер продукта:
NTE102A
Product Overview
Производитель:
NTE Electronics, Inc
Номер детали:
NTE102A-DG
Описание:
TRANS PNP 1A TO1
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 1 A 650 mW Through Hole TO-1
Инвентаризация:
19 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12922323
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTE102A Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
170mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
25µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
69 @ 300mA, 0V
Мощность - Макс
650 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
90°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-1-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2368-NTE102A
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
