Производитель Номер продукта:
NTE128
Product Overview
Производитель:
NTE Electronics, Inc
Номер детали:
NTE128-DG
Описание:
TRANS NPN 80V 1A TO39
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 400MHz 800 mW Through Hole TO-39
Инвентаризация:
820 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12922624
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTE128 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
400MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-39
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2368-NTE128
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
