Производитель Номер продукта:
NTE190
Product Overview
Производитель:
NTE Electronics, Inc
Номер детали:
NTE190-DG
Описание:
TRANS NPN 180V 1A TO202N
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 1 A 35MHz 10 W Through Hole TO-202N
Инвентаризация:
2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12923046
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTE190 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
180 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 20mA, 200mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 10V
Мощность - Макс
10 W
Частота - переход
35MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-202 Long Tab
Комплект устройства поставщика
TO-202N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2368-NTE190
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
