Производитель Номер продукта:
KFJ4B01100L
Product Overview
Производитель:
Nuvoton Technology Corporation
Номер детали:
KFJ4B01100L-DG
Описание:
TMOS
Подробное описание:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (0.8x0.8)
Инвентаризация:
13004040
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
KFJ4B01100L Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nuvoton Technology Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
459 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q100
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-CSP (0.8x0.8)
Упаковка / Чехол
4-XFLGA, CSP
Базовый номер продукта
KFJ4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
20,000
Другие названия
816-KFJ4B01100LTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
