KFJ4B01120L
Производитель Номер продукта:

KFJ4B01120L

Product Overview

Производитель:

Nuvoton Technology Corporation

Номер детали:

KFJ4B01120L-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V
Подробное описание:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (1x1)

Инвентаризация:

12979515
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

KFJ4B01120L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nuvoton Technology Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
814 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
370mW (Ta)
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-CSP (1x1)
Упаковка / Чехол
4-XFLGA, CSP
Базовый номер продукта
KFJ4

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
816-KFJ4B01120LTR
816-KFJ4B01120LCT
Q14964327

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP26M1UFG-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

diodes

DMP3165LQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMT12H7M9LPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5