2PD601ASW,115
Производитель Номер продукта:

2PD601ASW,115

Product Overview

Производитель:

NXP USA Inc.

Номер детали:

2PD601ASW,115-DG

Описание:

NOW NEXPERIA 2PD601ASW - SMALL S
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Инвентаризация:

704258 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12981961
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2PD601ASW,115 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
290 @ 2mA, 10V
Мощность - Макс
200 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SOT-323

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
2PD601ASW,115 Datasheet

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
NEXNXP2PD601ASW,115
2156-2PD601ASW,115

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
microchip-technology

JANSP2N2221AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N2905AP

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N3628

POWER BJT

microchip-technology

JANSP2N3637L

RH SMALL-SIGNAL BJT