Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BC847QAPN147
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BC847QAPN147-DG
Описание:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12935522
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BC847QAPN147 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN, PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
45V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
100mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
15nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Мощность - Макс
350mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-XFDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1010B-6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BC847QAPN147
HTML Спецификация
BC847QAPN147-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
9,812
Другие названия
NEXNEXBC847QAPN147
2156-BC847QAPN147
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ULN2004ANS
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
SMBT3906SE6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
UPA1476H-AZ
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
SMBT3904UPNE3627
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR