BC857W,135
Производитель Номер продукта:

BC857W,135

Product Overview

Производитель:

NXP USA Inc.

Номер детали:

BC857W,135-DG

Описание:

NOW NEXPERIA BC857W - SMALL SIGN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Инвентаризация:

1230000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12982363
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BC857W,135 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
45 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
600mV @ 5mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
15nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Мощность - Макс
200 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SOT-323
Базовый номер продукта
BC857

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
2156-BC857W,135
NEXNXPBC857W,135

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

JANSM2N2369A

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JAN2N3499UB

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N2907AP

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSD2N3637UB

RH SMALL-SIGNAL BJT