Производитель Номер продукта:
BSN254,126
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BSN254,126-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 250 V 310mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
12810110
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSN254,126 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Базовый номер продукта
BSN2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
BSN254 AMO
934004930126
BSN254 AMO-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR4343TRR
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
BUK7608-55,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BUK96150-55A,118
MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK
