Производитель Номер продукта:
BUK652R7-30C,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK652R7-30C,127-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12867376
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK652R7-30C,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6960 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
204W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
BUK65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
954-BUK652R7-30C127
NEXNXPBUK652R7-30C,127
568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-DG
BUK652R730C127
2156-BUK652R7-30C127-NX
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFK21N100F
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
IRF520SPBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRFB13N50A
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
