Производитель Номер продукта:
BUK6E4R0-75C,127
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
BUK6E4R0-75C,127-DG
Описание:
NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
Подробное описание:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
19992 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996495
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK6E4R0-75C,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
306W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
273
Другие названия
2156-BUK6E4R0-75C,127-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
IRF644B-FP001
IRF644B - DISCRETE MOSFET
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
