Производитель Номер продукта:
BUK7107-55AIE,118
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
BUK7107-55AIE,118-DG
Описание:
NEXPERIA BUK7107 - N-CHANNEL TRE
Подробное описание:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
2400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973913
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK7107-55AIE,118 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Current Sensing
Рассеиваемая мощность (макс.)
272W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
173
Другие названия
2156-BUK7107-55AIE,118-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO3453
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
IMBG65R022M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
PJL9430A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
