Производитель Номер продукта:
BUK7507-30B,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK7507-30B,127-DG
Описание:
PFET, 75A I(D), 30V, 0.007OHM, 1
Подробное описание:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
4611 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975903
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK7507-30B,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Tube
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2427 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
157W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
740
Другие названия
2156-BUK7507-30B127
NEXNXPBUK7507-30B,127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AON6582
MOSFET N-CH 5X6 DFN
IRFD220
0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
TSG65N195CE RVG
650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
