Производитель Номер продукта:
BUK751R8-40E127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK751R8-40E127-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12931490
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK751R8-40E127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11340 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
349W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
314
Другие названия
2156-BUK751R8-40E127
NEXNXPBUK751R8-40E127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF244
N-CHANNEL POWER MOSFET
3LN01CPA-TB-E
NCH 1.5V DRIVE SERIES
3LN03M-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
