Производитель Номер продукта:
BUK7E4R6-60E,127
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
BUK7E4R6-60E,127-DG
Описание:
NEXPERIA BUK7E4 - TRANSISTOR >30
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
2920 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967948
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK7E4R6-60E,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
234W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
435
Другие названия
2156-BUK7E4R6-60E,127-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC8884
9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
ISC0603NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
IPT60R102G7E8236XTMA1
HIGH POWER_NEW
