Производитель Номер продукта:
BUK7Y25-40B/C,115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK7Y25-40B/C,115-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK56
Подробное описание:
N-Channel 40 V 35.3A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Инвентаризация:
12917103
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK7Y25-40B/C,115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
693 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
59.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
LFPAK56, Power-SO8
Упаковка / Чехол
SC-100, SOT-669
Базовый номер продукта
BUK7Y25
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
934064769115
2156-BUK7Y25-40B/C,115
NEXNXPBUK7Y25-40B/C,115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
SIR878ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
SI8821EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
