Производитель Номер продукта:
BUK9C1R3-40EJ
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK9C1R3-40EJ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
Подробное описание:
N-Channel 40 V 190A (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Инвентаризация:
12823582
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK9C1R3-40EJ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 90A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
BUK9C1
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
934067866118
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFH22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
IRFR6215TR
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRLR3105PBF
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
