Производитель Номер продукта:
BUK9E1R8-40E,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK9E1R8-40E,127-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12866556
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK9E1R8-40E,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
349W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
BUK9E1R8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
934066586127
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPW20N60S5FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
2N7002PT,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SC75
FK8V03020L
MOSFET N CH 33V 14A WMINI8
