Производитель Номер продукта:
BUK9E6R1-100E,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
BUK9E6R1-100E,127-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12810057
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUK9E6R1-100E,127 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
133 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17460 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
349W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
BUK9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
NEXNXPBUK9E6R1-100E,127
2156-BUK9E6R1-100E127-NX
BUK9E6R1100E127
934066517127
568-9877-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9635-55,118
MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
BUK952R8-60E,127
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
BUK7615-100A,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
